新型的PlasmaPro1000 Astrea刻蝕設(shè)備,該設(shè)備可以為PSS, GaN 和AlGaInP提供大批量刻蝕提供解決方案,有助于HBLED制造商提高良率和降低使用者成本。
該設(shè)備可以批量刻蝕55 x 2” 到 3 x 8”的晶片,設(shè)備的設(shè)計(jì)符合了HBLED材料嚴(yán)苛的化學(xué)要求。PlasmaPro1000 Astrea損耗低、產(chǎn)量高,以保證客戶芯片的光輸出。
該設(shè)備的高配置體現(xiàn)在,處理腔可作為獨(dú)立模塊或集群配置,也可升級(jí)為四面集群設(shè)備以支持三個(gè)生產(chǎn)模塊。
為確保該設(shè)備高稼動(dòng)率性和易維護(hù)性,它的主要特性和優(yōu)勢(shì)包括:
行業(yè),可處理直徑為690mm和高均勻性要求的等離子源。
490mm的電極,可大批量處理55x2”, 14x4”, 7x6” 到3x8”尺寸的晶片
高電導(dǎo)泵系統(tǒng)
雙進(jìn)氣口使制程調(diào)整更順暢
為晶片冷卻提供大夾具
Z字型的移動(dòng)方式確保晶片的均勻性
硬件穩(wěn)定和易于維護(hù),確保正常運(yùn)行時(shí)間